图片 | 产品名称 | 型号 | 品牌 | 参数 | 价格 | 供应商 | 库存 | 是否现货 | 起定量 | 更新时间 | |
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混合型P+N沟道场效应管 | AON4605 | AO/万代 | AON4605,N+P沟道-M... | 0.39 | 深圳市金城微零件有限公司 | 2000 | 否 | 50 | 2017-03-31 17:32 | ||
混合型P+N沟道场效应管 | AO4620 | AO/万代 | AO4620,N+P沟道-MO... | 0.52 | 深圳市金城微零件有限公司 | 2000 | 否 | 50 | 2017-03-31 17:32 | ||
混合型P+N沟道场效应管 | FW349-M-TL-E | SANYO/三洋 | FW349-M-TL-E,N+P... | 0.715 | 深圳市金城微零件有限公司 | 2000 | 否 | 50 | 2017-03-31 17:32 | ||
混合型P+N沟道场效应管 | SSM6L36FE | TOSHIBA/东芝 | SSM6L36FE,N+P沟道... | 0.26 | 深圳市金城微零件有限公司 | 2000 | 否 | 50 | 2017-03-31 17:32 | ||
混合型P+N沟道场效应管 | P3004ND5G | Cmos | P3004ND5G,N+P沟道... | 1.04 | 深圳市金城微零件有限公司 | 2000 | 否 | 50 | 2017-03-31 17:32 | ||
混合型P+N沟道场效应管 | FW342-T-TL-H | SANYO/三洋 | FW342-T-TL-H,N+P... | 0.52 | 深圳市金城微零件有限公司 | 2000 | 否 | 50 | 2017-03-31 17:32 | ||
混合型P+N沟道场效应管 | AO4600CL | AO/万代 | AO4600CL,N+P沟道-... | 0.52 | 深圳市金城微零件有限公司 | 2000 | 否 | 50 | 2017-03-31 17:32 | ||
混合型P+N沟道场效应管 | MDS9652EURH | MagnaChip/美格纳 | MDS9652EURH,N+P沟... | 0.481 | 深圳市金城微零件有限公司 | 2000 | 否 | 50 | 2017-03-31 17:32 | ||
MOS管 | 13N50 | HG | 询价 | 广东华冠半导体有限公司 | 100000 | 否 | 1 | 2017-05-03 16:04 | |||
MOS管 | IRF840 | HG | 询价 | 广东华冠半导体有限公司 | 100000 | 否 | 1 | 2017-05-03 16:04 | |||
MOS管 | 10N80 | HG | 询价 | 广东华冠半导体有限公司 | 100000 | 否 | 1 | 2017-05-03 16:04 | |||
MOS管 | 3N80 | HG | 询价 | 广东华冠半导体有限公司 | 100000 | 否 | 1 | 2017-05-03 16:04 | |||
MOS管 | IRF730 | HG | 询价 | 广东华冠半导体有限公司 | 100000 | 否 | 1 | 2017-05-03 16:04 | |||
MOS管 | 28N60 | HG | 询价 | 广东华冠半导体有限公司 | 100000 | 否 | 1 | 2017-05-03 16:04 | |||
MOS管 | 75N08 | HG | 询价 | 广东华冠半导体有限公司 | 100000 | 否 | 1 | 2017-05-03 16:04 | |||
MOS管 | 20N60 | HG | 询价 | 广东华冠半导体有限公司 | 100000 | 否 | 1 | 2017-05-03 16:04 | |||
MOS管 | IRF830 | HG | 询价 | 广东华冠半导体有限公司 | 100000 | 否 | 1 | 2017-05-03 16:04 | |||
MOS管 | 12N60 | HG | 询价 | 广东华冠半导体有限公司 | 100000 | 否 | 1 | 2017-05-03 16:04 | |||
MOS管 | IRF740 | HG | 询价 | 广东华冠半导体有限公司 | 100000 | 否 | 1 | 2017-05-03 16:04 | |||
MOS管 | 50N50 | HG | 询价 | 广东华冠半导体有限公司 | 100000 | 否 | 1 | 2017-05-03 16:04 |